非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)

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概要

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• 低消費電力100GbE光トランシーバ向け1.3μm帯直接変調DFBレーザのセミクールド(55℃) 28Gbps高マスクマージン動作化について検討した.今回,周波数応答特性の改善を目的に非対称周期変調型回折格子DFBレーザを提案した.試作した素子の閾値電流,スロープ効率,副モード抑圧比,f_<3dB>帯域は55℃においてそれぞれ5.3mA, 0.26W/A, > 45dB, > 20GHzであった.また,55℃ 28Gbps直接変調動作においてマスクマージン22%の良好なアイ開口を初めて実現した.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-06-14

著者

• 中原 宏治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  株式会社日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  日立製作所中央研究所

• 中原 宏治

  日立製作所 中央研究所

• 北谷 健

  株式会社日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  株式会社日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  (株)日立製作所 中央研究所

• 深町 俊彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 佐久間 康

  日本オプネクスト株式会社

• 深町 俊彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所

• 深町 俊彦

  日本オクラロ

• 佐久間 康

  日本オクラロ

• 若山 雄貴

  株式会社日立製作所中央研究所

• 比留間 健之

  株式会社日立製作所中央研究所

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