1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによるキャリア寿命時間の低減
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概要
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大容量光インタコネクションにおける並列伝送路間の低スキュー化・低消費電力化を図るためには、半導体レーザアレイの発振遅延時間の低減化が極めて重要である。これに対して、我々は1.3μm帯圧縮歪MQWを基本構造として、低しきい電流動作の10chレーザアレイ(1.3mA)、及び単体レーザ(0.5mA台)を報告してきた。さらなる低スキュー化のためにはキャリア寿命時間低減が必須であり、n型変調ドープレーザの有効性が理論的に示されている。今回、n型変調ドープ構造導入による1.3μm帯歪MQWレーザのキャリア寿命時間低減について理論、実験的に検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
魚見 和久
(株)日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
-
大歳 創
日立中研
-
中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
-
大歳 創
(株)日立製作所中央研究所
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
魚見 和久
(株)日立製作所
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
丹羽 敦子
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 朋信
日立 中研
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