面方位制御による歪量子井戸レーザの低しきい値化の検討
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概要
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長波長帯歪量子井戸(QW)レーザの光学特性と基板面方位の関係を理論的に解析した。光学特性を解析する上で重要な価電子帯構造の解析には、バンド混合効果と異方性を考慮した有効質量理論を適用した。その結果、1.55μm帯歪QWレーザ(井戸層膜厚3.5nm、圧縮歪1.2%)では、面方位を(001)面から(110)面の方向へ傾斜すると光学利得が著しく増大し、(110)面では微分利得が従来の1.6倍になることがわかった。これは面方位をかえることにより、価電子帯上部の状態密度が低減することによるものである。また、1.3μm帯歪QWレーザ(井戸層膜厚6nm、圧縮歪1.4%)では、面方位を(001)面から(110)面の方向へ40度以上傾斜した場合、しきい電流密度を従来の3分の2に低減できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-14
著者
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