SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
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概要
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SiシャドウマスクMOCVD成長により、光加入者用送信光源となるビーム拡大器集積半導体レーザを作製した。マスク寸法及び基板とマスク間隔を最適化することにより、レーザ部の活性層厚に比べ1/3倍の膜厚変調比を有する膜厚テーパ導波路を、従来の活性層構造に集積化成長することができた。この膜厚テーパ導波路を有する1.3μm帯逆メサリッジ型半導体レーザを試作した結果、垂直方向のFFPは、従来レーザの40°に対して、13°と狭窄化できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-03
著者
-
佐藤 宏
日立中研
-
大家 彰
日立製作所中央研究所
-
魚見 和久
日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
青木 雅博
日立製作所
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
古森 正明
日立製作所中央研究所
-
佐藤 宏
日立製作所中央研究所
-
古森 正明
(株)日立製作所 中央研究所
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
佐藤 宏
日立製作所 日立研究所
-
大家 彰
日立製作所 中央研究所
-
古森 正明
(株)日立製作所中央研究所
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