光変調器集積レーザー
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
-
逆位相直接接着によるGaAs基板上長波長レーザの作製
-
AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
-
直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
-
選択MOVPEを用いたDFBレーザの波長制御技術と応用
-
C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
-
SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
-
SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
-
n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
-
1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
-
SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
-
光変調器集積型波長可変DFBレーザ
-
BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
-
BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
-
コア膜厚/ストライプ幅変調型ビーム拡大機能集積化LDの特性解析
-
C-4-25 光変調器集積型波長可変レーザの伝送特性
-
レーザー
-
電界吸収型光変調器集積DFBレーザにおける前端面光反射の伝送特性に与える影響
-
光変調器集積レーザー
-
シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
-
1.5μm帯歪InGaAsP/InP MQW逆メサリッジレーザの高温特性
-
逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
-
1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
-
1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
-
1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
-
1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
-
1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
-
1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
-
レーザプリンタ用650nm帯20チャネルアレイレーザの開発 : 高速プリンタ用赤色アレイレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク