1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
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概要
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光送信器の低コスト化を目指したアンクールド40Gbit/s EA/DFBレーザを実現するための基礎検討として、0℃-85℃の広い温度範囲でInGaAlAs多重量子井戸を吸収層として持つ1.55μm帯EA変調器の40Gbit/s変調実験を行った。各温度で離長量が一定になる波長の光を入力した場合、65℃でも、25℃の場合と比較し動的消光比が約1.6dB劣化するものの、良好な40Gbit/s変調波形を観測した。また、各温度でDFBレーザの温度特性に従った波長の光を入力した場合も、適切なバイアスを印加することにより0℃-85℃の広い温度範囲で動的消光比7.8dB以上の良好な波形を確認した。これらは、現状のEA変調器がアンクールドEA/DFBレーザ-適用可能であることを示す結果である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-28
著者
-
白井 正敬
日立製作所中央研究所
-
白井 正敬
(株)日立製作所 中央研究所
-
清水 淳一郎
(株)日立製作所, 中央研究所
-
有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
清水 淳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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