SOA集積InP系マッハツェンダー変調器の10.7Gbps-80kmフルC-bandアンクールド動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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InP半導体を用いたマッハツェンダー(MZ)型変調器のロスを補償するために、半導体増幅器(SOA)を集積したInP系MZ変調器を作製した。さらに、アンクールド動作実現のために、高温においても高利得が得られるSOA構造の設計、及びMZ変調器部のデチューニング量の最適化を行った。素子温度0〜85℃、波長1528〜1565nmの範囲で、10.7Gbps, 80km(1600ps/nm)ファイバー伝送評価を行った結果、0dBm以上の変調時ファイバー光出力、10.5dB以上の変調時消光比、2.0dB以下のパワーペナルティを達成し、SOA集積InP系MZ変調器のフルC-band領域でのアンクールド動作を実現した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-22
著者
-
有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
直江 和彦
日本オクラロ(株)
-
岡本 薫
日本オクラロ株
-
中西 慧
日本オクラロ株
-
笹田 紀子
日本オクラロ株
-
佐久間 康
日本オクラロ
-
鷲野 隆
日本オクラロ(株)
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