C-4-23 LGLC型波長可変レーザのCバンド安定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-03-04
著者
-
有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
鈴木 崇功
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 厚
日本オクラロ(株)
-
直江 和彦
日本オクラロ(株)
-
早川 茂則
日本オクラロ(株)
-
魚見 和久
日本オクラロ(株)
-
元田 勝也
日本オクラロ(株)
関連論文
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験10, 000時間安定動作
- 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
- 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化
- 表面実装向け高効率・低暗電流導波路型PINフォトダイオード
- 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
- 広トレランス導波路型PINフォトダイオード
- 低電圧動作歪InAlAs/InGaAs超格子APD(APD : Avalanche Photodiode)
- 2.5Gbit/s光伝送用InAlAs/InGaAs超格子APD
- 導波路型超格子APD
- 超格子APD高速化の検討
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
- C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- SC-3-9 ATM-PONシステム向けポリマPLCモジュール
- MQW電界吸収型超高速光ゲート
- MQW電界吸収型超高速光ゲート
- モードフィルタによるマッハツェンダー型光変調器の安定化
- 超高速電界吸収型光ゲートスイッチ
- 40Gbit/s 用導波路集積化MQW電界吸収型光変調器
- 導波路集積化MQW-EA型超高速光変調器
- 導波路集積化MQW-EA型光変調器
- 伸張歪みInGaAs/InAlAs MQW電界吸収型光変調器 : 伸張歪み導入によるMQW電界吸収型光変調器の動作電圧低減
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-21 n型ドープ活性DBR構造をもつ短共振器DBRレーザアレイの32nm連続波長可変動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- パターン基板上に自己形成した三次元閉じ込めGaAs構造に関するフォトルミネッセンス
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光通信用レーザの最新動向 (月刊オプトロニクス2008年12月号綴込み付録 レーザ製品の手引き Optronics Mini Magazine)
- 短共振器DBR型波長可変レーザモジュールの高速波長ロッカー制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
- 40Gbit/s光変調器におけるキャリア排出時間の測定
- 40Gbit/s光変調器におけるキャリア排出時間の測定
- CS-3-2 エミッタホロワ駆動回路と電界吸収型変調器のフリップチップ実装による超小型・低消費電力40Gbit/s光送信器(CS-3. 超高速・高周波デバイス・回路・モジュールのための高密度Jisso技術, エレクトロニクス1)
- B-10-44 40Gbit/s EA 光変調器の新規低電圧・低消費電力駆動方式の提案
- C-4-44 新規駆動方式による高変調効率 (50GHz/V) 動作 40Gbit/s-EA 変調器の設計
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 5-1 エミッタホロワ駆動ICとEA光変調器のハイブリッド実装による超小型40Gbit/s光送信器(5. 光デバイス)(日本のモノづくりを支えるJisso技術)
- 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 40Gbit/s光変調器におけるキャリア排出時間の測定
- C-4-6 半導体変調器中キャリア排出時間のバリア層バンドギャップ波長依存性
- 光インタコネクション応用に向けたAPD低電圧動作化の検討
- CS-5-7 低コスト光モジュール用高速アンクールドEA/DFBレーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 半導体導波路型光周波数変換素子
- InGaAs/InAlAs MQW非線形導波路を用いた全光学的光スイッチング実験
- 1.5μm用InGaAs/InAlAs多重量子井戸導波路での光誘起屈折率変化
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験20, 000時間安定動作
- C-3-47 10Gb/s光受信器用表面実装対応導波路型PIN-PD
- C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
- C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討 (光エレクトロニクス)
- BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-30 Be系II-VI材料を用いた緑色レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 光インタコネクト用1.3μm帯レンズ集積EA-DFBレーザによる40-Gbit/s/ch 50mマルチモードファイバ伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-31 光インタコネクト用EA-DFBレーザの40Gbps/ch低電圧動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 ハイメサ埋め込み構造型LGLC波長可変レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-77 マルチコアファイバ大容量・高信頼光ネットワーク向けプロトタイプ光切替装置の基本動作実証(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-5 LGLC型波長可変レーザにおけるLGLCフィルタ変動に対するサイドモード抑圧比の高安定性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- SOA集積InP系マッハツェンダー変調器の10.7Gbps-80kmフルC-bandアンクールド動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SOA集積InP系マッハツェンダー変調器の10.7Gbps-80kmフルC-bandアンクールド動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SOA集積InP系マッハツェンダー変調器の10.7Gbps-80kmフルC-bandアンクールド動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SOA集積InP系マッハツェンダー変調器の10.7Gbps-80kmフルC-bandアンクールド動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- C-4-23 LGLC型波長可変レーザのCバンド安定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)