超高速電界吸収型光ゲートスイッチ
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概要
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情報化社会の進展にともない光波の広帯域性を利用した高スループットの光交換機実現を目指し、研究開発が活発化している。光ゲートは光交換を実現するために求められる基本光部品の一つである。従来、光ゲートスイッチとしては低損失であり高消光比が得られる光増幅器が検討されてきた。光増幅器のスイッチング時間はキャリアライフタイムで制限され、〜nsである。そこで、我々は高速光ゲートスイッチとして電界吸収型(EA)変調器を提案し、作製した。EAゲートスイッチは電界効果による吸収を用いるため100ps以下の高速スイッチングが可能である。また、電圧を与えない状態をON状態(ゲート開)として使うことができるため偏波および波長依存性を制御しやすく、特性の安定化が期待できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所中央研究所
-
鈴木 誠
日立製作所中央研究所
-
小泉 真里
(株)日立製作所中央研究所
-
井戸 立身
日立製作所 中央研究所
-
鈴木 誠
日立製作所 中央研究所
-
井上 宏明
(株)日本オプネクスト
-
小泉 真里
日立製作所中央研究所
-
井上 宏明
日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所
-
鈴木 誠
日立 中研
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