MBE再成長法によるGaAs/InGaAs系モノリシック型光集積素子(1) : 再成長界面の位置に関する検討
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概要
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光部品の低コスト化、高信頼化のためには、発/受光等の光素子と光導波路とをモノリシック集積化した光ICの実現が重要である。我々は光センサ等への適用を考えた短波長系の光集積素子として、GaAsが透明になる0.98μm帯波長を用いたモノリシック型の光ICを検討している。今回はまず、MBEによる再成長法を用いたモノリシック集積化の可能性について検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
大内 博文
日立電線 オプトロシステム研究所
-
井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
-
樋口 恵一
日立電線株式会社 オプトロシステム研究所
-
鈴木 良治
日立電線オプトロシステム研究所
-
井戸 立身
日立製作所 中央研究所
-
鈴木 良治
日立電線 オプトロシステム研究所
-
和島 峰生
日立電線 ARC
-
樋口 恵一
日立電線 オプトロシステム研究所
-
鈴木 良治
日立電線
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