広波長帯域用EA光ゲートの基本特性
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概要
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320Gb/sの光ATM交換装置に搭載可能な光セルバッファ実現へ向け、従来(120μm)より長い吸収領域(150μm)からなる電界吸収型光ゲートの基本特性を調べた。その結果、1535〜1560nm (波長帯域25nnl)の広波長帯域において、挿入損失15曲以下、消光比35曲以上、偏波・波長依存2dB以下 (波長特性平坦化フイルタとの併用により)、10波同時到着によるバースト信号に対応可能であることを明らかにし、上記光セルバッファが実現できる見通しを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-11-04
著者
-
小林 雅彦
日立電線(株)オプトロシステム研究所
-
井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
-
鷹野 秀明
(株)日立製作所 中央研究所
-
小泉 真里
(株)日立製作所中央研究所
-
北島 茂樹
(株)日立製作所中央研究所
-
桑野 英之
(株)日立製作所 情報通信事業部
-
五明 博之
(株)日立製作所 情報通信事業部
-
北島 茂樹
日立
-
北島 茂樹
情報通信事業部中央研究所
-
小林 雅彦
日立電線(株)
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