C-3-50 10Gbps×4chパラレルLDモジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-08-29
著者
-
佐野 博久
日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所
-
井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
-
宍倉 正人
日本オプネクスト株式会社
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
徳田 正秀
(株)日立製作所中央研究所
-
野本 悦子
日立中研
-
宍倉 正人
(株) 日立製作所 中央研究所
-
長妻 一之
(株) 日立製作所 中央研究所
-
井戸 立身
(株) 日立製作所 中央研究所
-
徳田 正秀
(株) 日立製作所 中央研究所
-
中原 宏治
(株) 日立製作所 中央研究所
-
野本 悦子
(株) 日立製作所 中央研究所
-
須藤 剣
(株) 日立製作所 中央研究所
-
佐野 博久
(株) 日立製作所 中央研究所
-
宍倉 正人
日本オプネクスト(株)
-
長妻 一之
(株)日立製作所 中央研究所
-
長妻 一之
日立
関連論文
- C-3-80 高屈折率エタロンを用いた斜め反射型可変分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験10, 000時間安定動作
- 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
- 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
- 導波路型PDの樹脂封止法の検討
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化
- 表面実装向け高効率・低暗電流導波路型PINフォトダイオード
- 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
- 広トレランス導波路型PINフォトダイオード
- 低電圧動作歪InAlAs/InGaAs超格子APD(APD : Avalanche Photodiode)
- 導波路型超格子APD
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- B-10-74 100ギガビットイーサネット向け光トランシーバによる25Gbit/s x 4ch LAN-WDM 10km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- 広波長帯域用EA光ゲートの基本特性
- 電界吸収型光ゲートによる低損失変動光セルバッファ
- B-10-22 100Gbit/sイーサネット向けトランシーバ(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- C-3-118 InP-AWGとPDアレイをハイブリッド集積したDWDMモジュール
- C-3-122 InP 16チャネルアレイ導波路格子分波器
- 半導体レーザの温度上昇の評価とその素子構造依存性
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- SC-4-6 高速多チャンネルモジュール
- C-3-50 10Gbps×4chパラレルLDモジュール
- B-1-243 人の動きがある室内でのMIMO伝搬特性の評価(B-1. アンテナ・伝播C(アンテナシステム), 通信1)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 1.3μm帯10Gbit/s/channelパラレル光送信/受信モジュール(光・電気複合実装モジュール技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- C-3-74 多層光導波路基板の10Gbps光信号伝送(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-73 2レンズ光学系を用いた10 Gbps/ch光インターコネクションI/Oモジュール(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-72 低損失光結合構造を適用した多層光配線ボード(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-71 低背10Gbit/s×4 channelパラレル光送受信器(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 小型10Gbit/s/channel光トランシーバ(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- C-3-92 VCSELを用いた10Gbit/s×4channelパラレル光送受信器(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- C-3-132 4ch×10 Gbit/s CWDM 光受信器
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
- C-3-21 10Gbps×4ch パラレル光受信器
- C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 光導波路基板上への光素子直接搭載
- 光ハイブリッドモジュール
- 10 GbE WWDM送信器用ポリマPLC基板
- 10GbE WWDM送信器用ポリマPLC基板
- C-3-151 ポリマPLCを用いた10GbE WWDM用4×1合波器
- ポリマー導波路を用いた光アクセス向け低コスト送受信モジュール
- 光加入者用ポリマPLC送受信モジュール
- 光加入者用ポリマPLC送受信モジュール
- SC-3-9 ATM-PONシステム向けポリマPLCモジュール
- C-3-113 光加入者システム用ポリマPLCモジュール
- C-3-65 低消費電力ポリマ可変光減衰器
- 40Gbit/s伝送用光変調器モジュールのIC駆動
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- フッ素化ポリイミドを用いた1×8デジタル光スイッチ(2)
- 広波長帯域用EA光ゲートの基本特性
- 広波長帯域用EA光ゲートの基本特性
- 広波長帯域用EA光ゲートの基本特性
- フッ素化ポリイミドを用いた1x8デジタル光スイッチ
- MQW電界吸収型超高速光ゲート
- 1.3μm帯MQW半導体光増幅器
- MQW電界吸収型超高速光ゲート
- モードフィルタによるマッハツェンダー型光変調器の安定化
- MBE再成長法によるGaAs/InGaAs系モノリシック型光集積素子(1) : 再成長界面の位置に関する検討
- 超高速電界吸収型光ゲートスイッチ
- 40Gbit/s 用導波路集積化MQW電界吸収型光変調器
- 導波路集積化MQW-EA型超高速光変調器
- 光ファイバジャイロ用TEモード偏光SLD/PD集積光源
- 半導体光制御デバイスと実装
- 導波路集積化MQW-EA型光変調器
- 伸張歪みInGaAs/InAlAs MQW電界吸収型光変調器 : 伸張歪み導入によるMQW電界吸収型光変調器の動作電圧低減
- 並列光インターコネクション用1.3μm帯低しきい電流・横テーパ構造n型変調ドープ歪MQWレーザアレイ
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによる85℃-2.5Gb/s零バイアス変調
- 1.3μm帯InP系n型変調ドープ歪MQWレーザ
- 1.3μm帯InCaAsP系n型変調ドープ歪MQW-BHレーザ
- 155Mb/sプラスチックMini-DIL PIN-PREAMPモジュール
- プラスチックMini-DIL PIN-AMPモジュール
- C-3-10 低容量オプティカルベンチを用いたプラスチックPIN-AMPモジュールの高感度化
- 表面実装型樹脂封止LDモジュールの光結合特性
- 選択MOCVD成長による多重量子井戸構造の量子準位エネルギー制御と光集積素子への応用
- CI-1-4 100GbE向け光実装・モジュール技術(CI-1.ユビキタスネットワークを支える次世代光コンポーネント・実装技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
- ポスター発表報告
- B-10-33 100GBASE-ER4向け25Gbit/s x 4ch 1310nm WDMトランシーバによる40km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- 光伝送技術の導入と光電気変換部の発展(光回路実装技術基礎講座「光配線と電気配線の融合化技術」第2回)
- B-4-29 光ディスクドライブにおける記録信号伝送ジッタ低減の検討(B-4. 環境電磁工学,一般セッション)
- C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 ハイメサ埋め込み構造型LGLC波長可変レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)