導波路型PDの樹脂封止法の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
加入者用光モジュールの低価格化研究の一環として、表面実装可能な導波路型フォトダイオード(WG型PD)の樹脂封止法について検討し、良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
中村 均
(株)日立製作所中央研究所
-
辻 伸二
日立製作所株式会社
-
宍倉 正人
日立製作所中央研究所
-
中村 均
日立製作所中央研究所
-
長妻 一之
日立製作所中央研究所
-
菊地 悟
日立製作所 中央研究所
-
須藤 亮一
日立製作所 生産技術研究所
-
三浦 敏雅
日立製作所 生産技術研究所
-
外川 英男
日立製作所 生産技術研究所
-
三浦 敏雅
日立製作所生産技術研究所
-
宍倉 正人
日本オプネクスト株式会社
-
宍倉 正人
日本オプネクスト(株)
-
宍倉 正人
日立製作所
-
長妻 一之
(株)日立製作所 中央研究所
-
長妻 一之
日立
-
外川 英男
(株)日立製作所生産技術研究所
-
辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
-
辻 伸二
日立製作所中央研究所
関連論文
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 省電力・高性能光I/O技術開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- C-3-80 高屈折率エタロンを用いた斜め反射型可変分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験10, 000時間安定動作
- 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
- 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
- 導波路型PDの樹脂封止法の検討
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化
- 表面実装向け高効率・低暗電流導波路型PINフォトダイオード
- 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
- 広トレランス導波路型PINフォトダイオード
- 低電圧動作歪InAlAs/InGaAs超格子APD(APD : Avalanche Photodiode)
- 2.5Gbit/s光伝送用InAlAs/InGaAs超格子APD
- 導波路型超格子APD
- 超格子APD高速化の検討
- Si注入による端面透明化構造を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP半導体レーザ
- 40G/100Gイーサネット標準に向けた省電力・高性能光I/O技術の開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- 光実装技術の将来展望-夢(「絵解き・光実装技術入門」第 6 回・最終回)
- B-10-74 100ギガビットイーサネット向け光トランシーバによる25Gbit/s x 4ch LAN-WDM 10km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-22 100Gbit/sイーサネット向けトランシーバ(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- SC-4-6 高速多チャンネルモジュール
- C-3-50 10Gbps×4chパラレルLDモジュール
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 1.3μm帯10Gbit/s/channelパラレル光送信/受信モジュール(光・電気複合実装モジュール技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- C-3-74 多層光導波路基板の10Gbps光信号伝送(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-73 2レンズ光学系を用いた10 Gbps/ch光インターコネクションI/Oモジュール(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-72 低損失光結合構造を適用した多層光配線ボード(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-71 低背10Gbit/s×4 channelパラレル光送受信器(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 小型10Gbit/s/channel光トランシーバ(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- 小型 10Gbit/s/channel 光トランシーバ
- C-3-92 VCSELを用いた10Gbit/s×4channelパラレル光送受信器(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- C-3-132 4ch×10 Gbit/s CWDM 光受信器
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
- C-3-21 10Gbps×4ch パラレル光受信器
- C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
- 光導波路基板上への光素子直接搭載
- 光ハイブリッドモジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- フッ素化ポリイミドを用いた1×8デジタル光スイッチ(2)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
- C-4-11 1.3μm帯レンズ集積面出射型レーザによる光ファイバへの高効率直接光結合(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-63 小型100-GbE Quadplex光受信器(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- 155Mb/sプラスチックMini-DIL PIN-PREAMPモジュール
- 4)アバランシェX線撮像管用面板技術の検討(情報入力研究会)
- アバランシェ型X線撮像管用面板技術の検討(不可視光撮像技術特集)
- 1)アバランシェ増倍型X線撮像管(情報入力研究会)
- アバランシェ増倍型X線撮像管 : X線撮像とバイオ受光素子 : 情報入力
- 16-2 アバランシェ増倍型X線撮像管
- 2)超高感度アバランシェ増倍型撮像管 : ハーピコンの超高感度化と雑音特性の解析(情報入力研究会)
- 超高感度アバランシェ増倍型撮像管 : ハーピコンの超高感度化と雑音特性の検討
- 1-2 超高感度アバランシェ方式撮像管
- 3-11 アバランシェ増倍形撮像管「ハーピコン」の高感度化
- レーザー
- 短共振器DBR型波長可変レーザモジュールの高速波長ロッカー制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
- 光変調器集積型波長可変DFBレーザ
- プラスチックMini-DIL PIN-AMPモジュール
- C-3-10 低容量オプティカルベンチを用いたプラスチックPIN-AMPモジュールの高感度化
- "光アクセス用低コスト光モジュール"
- "光アクセス用低コスト光モジュール"
- "光アクセス用低コスト光モジュール"
- "光アクセス用低コスト光モジュール"
- 表面実装型樹脂封止LDモジュールの光結合特性
- 樹脂封止型LDモジュールの光結合特性
- BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
- BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
- コア膜厚/ストライプ幅変調型ビーム拡大機能集積化LDの特性解析
- C-4-25 光変調器集積型波長可変レーザの伝送特性
- CI-1-4 100GbE向け光実装・モジュール技術(CI-1.ユビキタスネットワークを支える次世代光コンポーネント・実装技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-47 10Gb/s光受信器用表面実装対応導波路型PIN-PD
- C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
- 受光素子接合に及ぼすAu/Snはんだ電極形成の適正化
- B-10-33 100GBASE-ER4向け25Gbit/s x 4ch 1310nm WDMトランシーバによる40km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- 光インターコネクション技術の進展と新たな可能性 : 光回路実装技術ロードマップに向けて(エレクトロニクス実装技術の現状と展望)
- ユビキタス時代に向けて光回路実装技術研究会活動が目指すもの(次世代のエレクトロニクス実装に向けた研究会活動の現状と今後)
- MQW半導体光増幅器の利得飽和特性と2.5Gb/s-120km伝送特性
- シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
- 光伝送技術の導入と光電気変換部の発展(光回路実装技術基礎講座「光配線と電気配線の融合化技術」第2回)
- 装置内バックプレーン光化向け25Gbps×4チャネル、3.0mW/Gbps、CMOS小型光レシーバの提案(コア・メトロシステム,フォトニックネットワーク・システム,光ネットワーク運用管理,光ネットワーク設計,トラヒックエンジニアリング,シグナリング,GMPLS,ドメイン間経路制御,ネットワーク監視,イーサネット,光伝達網(OTN),高速インタフェース,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,光クロスコネクト(OXC),光分岐挿入多重(OADM),光多重・分離装置,光信号処理,光スイッチ
- 光インターコネクション用マルチモード導波路の目標仕様
- BP-3-5 クライアントサイド100Gbit/s光トランスポンダの最新技術動向(BP-3."安全で強固な"超高速光伝送システムの実現に向けて,パネルセッション,ソサイエティ企画)