受光素子接合に及ぼすAu/Snはんだ電極形成の適正化
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概要
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本論文は,光通信に適した送受信半導体レーザモジュールの接合固定について述べたものである.まず,J-downの受光素子(PD)とSi基板とをAu/Sn接合した要素試作で,電極膜のTiとPD界面ではく離が起こり,この定量評価を行うため,Ti膜のスクラッチ試験から膜接合を評価した.この結果,Ti膜のアニール処理を行うことにより,スクラッチ破壊荷重を0.02Nから0.25Nに向上できることがわかった.また,Si基板上に蒸着したTi膜の熱変形測定から0.3μm厚以上の膜厚が適していることを明らかにした.次に,PDとSi基板とのAu/Sn接合で界面に生じる熱応力を明らかにした.以上の結果,強力な接合を得るためにはTi膜の適切なアニールが重要であることを示した.実験及び解析結果をもとにサンプル作製し信頼性評価したところ,Si基板とPD界面で良好な接合が得られ,温度サイクル試験でも安定した受光特性が得られることがわかった.以上の検討から,最終的に信頼性の高いJ-downのPD接合を得ることができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-01
著者
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