B-10-74 100ギガビットイーサネット向け光トランシーバによる25Gbit/s x 4ch LAN-WDM 10km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-03-02
著者
-
笹田 紀子
日本オプネクスト株式会社設計開発本部
-
穴倉 正人
(株)日立製作所中央研究所
-
平本 清久
日立製作所中央研究所
-
平本 清久
日本オプネクスト(株)
-
有馬 宏幸
日本オプネクスト株式会社
-
高松 尚司
日本オプネクスト株式会社
-
山下 武
日本オプネクスト株式会社
-
畑農 督
日本オプネクスト株式会社
-
宍倉 正人
日本オプネクスト株式会社
-
入江 裕紀
日本オプネクスト株式会社
-
笹田 紀子
日本オプネクスト株式会社
-
宍倉 正人
日本オプネクスト(株)
-
笹田 紀子
日本オプネクスト
-
入江 裕紀
日本オプネクスト(株)
関連論文
- 低消費電力10Gトランシーバ : SFP+ER(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 低消費電力10Gトランシーバ : SFP+ER(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 低消費電力10Gトランシーバ : SFP+ER(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-3-80 高屈折率エタロンを用いた斜め反射型可変分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験10, 000時間安定動作
- 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
- 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
- 導波路型PDの樹脂封止法の検討
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化
- 表面実装向け高効率・低暗電流導波路型PINフォトダイオード
- 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
- 広トレランス導波路型PINフォトダイオード
- 低電圧動作歪InAlAs/InGaAs超格子APD(APD : Avalanche Photodiode)
- 導波路型超格子APD
- Si注入による端面透明化構造を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP半導体レーザ
- 指数関数型フレアストライプを有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsPレーザの高出力特性
- スポットサイズ拡大機能を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP歪量子井戸半導体レーザ
- Alフリー0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaAs面発光型レーザの室温連続動作
- InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
- InGaAsP障壁層の導入による帯InGaAs/InGaP/GaAs歪量子井戸レーザの高信頼性動作
- 3.3V駆動50Mbit/sバースト対応送受信IC
- 自動閾値制御方式バーストモード1チップ受信回路
- B-10-74 100ギガビットイーサネット向け光トランシーバによる25Gbit/s x 4ch LAN-WDM 10km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- B-10-22 100Gbit/sイーサネット向けトランシーバ(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- SC-4-6 高速多チャンネルモジュール
- C-3-50 10Gbps×4chパラレルLDモジュール
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 1.3μm帯10Gbit/s/channelパラレル光送信/受信モジュール(光・電気複合実装モジュール技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- C-3-74 多層光導波路基板の10Gbps光信号伝送(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-73 2レンズ光学系を用いた10 Gbps/ch光インターコネクションI/Oモジュール(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-72 低損失光結合構造を適用した多層光配線ボード(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-71 低背10Gbit/s×4 channelパラレル光送受信器(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 小型10Gbit/s/channel光トランシーバ(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- 小型 10Gbit/s/channel 光トランシーバ
- C-3-92 VCSELを用いた10Gbit/s×4channelパラレル光送受信器(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- C-3-132 4ch×10 Gbit/s CWDM 光受信器
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
- C-3-21 10Gbps×4ch パラレル光受信器
- C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光導波路基板上への光素子直接搭載
- 光ハイブリッドモジュール
- C-3-135 10 Gbit/sドライバIC内蔵電界吸収型変調器集積DFBレーザモジュール(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 200Mbit/s/ch×12ch光インタコネクト送受信モジュール
- 250Mb/s,12ch.光インタコネクト用送受信IC
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 1.55μm帯InGaAlAs系EA/DFBレーザによる広温度範囲10Gbit/s-40km/80kmファイバ伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 155Mb/sプラスチックMini-DIL PIN-PREAMPモジュール
- 低コスト光素子技術 (特集 拡がる光通信インフラ)
- 2.5Gbit/s光伝送用タイミング抽出・識別再生IC
- 2.5Gbit/s光伝送用2R IC
- プラスチックMini-DIL PIN-AMPモジュール
- C-3-10 低容量オプティカルベンチを用いたプラスチックPIN-AMPモジュールの高感度化
- 表面実装型樹脂封止LDモジュールの光結合特性
- CI-1-4 100GbE向け光実装・モジュール技術(CI-1.ユビキタスネットワークを支える次世代光コンポーネント・実装技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- CS-5-7 低コスト光モジュール用高速アンクールドEA/DFBレーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-16 低消費電力化対応1.55μm帯10Gbit/s EA/DFB-TOSAモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-47 10Gb/s光受信器用表面実装対応導波路型PIN-PD
- C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
- C-4-15 InGaAlAs系EA/DFBレーザによる15℃-95℃,10Gbit/s-80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- B-10-33 100GBASE-ER4向け25Gbit/s x 4ch 1310nm WDMトランシーバによる40km伝送評価(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-9 1.55μm帯10Gbit/s EA/DFB-TOSAモジュールの広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- MQW半導体光増幅器の利得飽和特性と2.5Gb/s-120km伝送特性
- 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性
- 光伝送技術の導入と光電気変換部の発展(光回路実装技術基礎講座「光配線と電気配線の融合化技術」第2回)
- B-10-47 小型・低消費電力 直接変調型 10Gbit/s 光トランシーバモジュール
- 光インターコネクション用マルチモード導波路の目標仕様
- BP-3-5 クライアントサイド100Gbit/s光トランスポンダの最新技術動向(BP-3."安全で強固な"超高速光伝送システムの実現に向けて,パネルセッション,ソサイエティ企画)