MQW半導体光増幅器の利得飽和特性と2.5Gb/s-120km伝送特性
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概要
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多重量子井戸活性層とテーパ状光導波路を導入し、半導体光増幅器の高出力化を図った。利得飽和光出力は励起電流に比例すること、テーパ状光導波路を持ち井戸層が4層の素子では、光導波路幅が一定の素子に比べ1.2倍、5層の素子に比べ1.3倍大きい利得飽和光出力が得られることが分かった。その結果、励起電流400mAにおいて70mWを超える利得飽和光出力と約10dBの素子利得を得た。120km-2.5Gb, s光伝送系におけるブースタアンプとして使用し、伝送実験した。利得飽和光出力を平均光出力より約9dB大きくすることにより、符号誤り率は受信光強度に対し直線的に減少し、フロアなしに-31dBの最小受光強度を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-26
著者
-
辻 伸二
日立製作所株式会社
-
辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
-
平本 清久
日立製作所中央研究所
-
豊中 隆司
日立製作所情報通信事業部
-
豊中 隆司
(株)日立製作所情報通信事業部
-
平本 清久
日本オプネクスト(株)
-
辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
-
辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
-
青木 聡
日立製作所情報通信事業部
-
Ghafouri-Shiraz H
バーミンガム大学工学部電子工学科
-
青木 聡
日立製作所光技術開発推進本部
-
豊中 隆司
日立
-
辻 伸二
日立製作所中央研究所
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