Si注入による端面透明化構造を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP半導体レーザ

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-09-07

著者

• 辻 伸二

  日立製作所株式会社

• 辻 伸二

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐川 みすず

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐川 みすず

  日立製作所中央研究所

• 平本 清久

  日立製作所中央研究所

• 紀川 健

  日立製作所中央研究所

• 平本 清久

  日本オプネクスト(株)

• 辻 伸二

  (株)日立製作所 中央研究所

• 辻 伸二

  (株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 紀川 健

  日立製作所 中央研究所

• 佐川 みすず

  日立 中研

• 辻 伸二

  日立製作所中央研究所

関連論文

• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 半導体レーザ国際会議(ISLC 2008)報告(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 省電力・高性能光I/O技術開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
• 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
• BS-10-2 ボード内・間光インターコネクション技術の取り組み(BS-10.光スイッチング・光インターコネクション・光LAN技術〜ラック間・ボード間・チップ間光ネットワークへ〜,シンポジウムセッション)
• 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験10, 000時間安定動作
• 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
• 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
• 導波路型PDの樹脂封止法の検討
• 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
• 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化
• 表面実装向け高効率・低暗電流導波路型PINフォトダイオード
• 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
• 広トレランス導波路型PINフォトダイオード
• 導波路型超格子APD
• ミッション インポシブル
• Si注入による端面透明化構造を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP半導体レーザ
• 40G/100Gイーサネット標準に向けた省電力・高性能光I/O技術の開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
• 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-3-62 100Gbイーサネット向け25Gbps低電力CMOS光レシーバの開発(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-61 25Gbps TIA向けプリアンプ回路の開発(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 光導波路基板上への光素子直接搭載
• 光ハイブリッドモジュール
• ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
• ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
• ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
• ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
• フッ素化ポリイミドを用いた1×8デジタル光スイッチ(2)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
• C-4-11 1.3μm帯レンズ集積面出射型レーザによる光ファイバへの高効率直接光結合(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-63 小型100-GbE Quadplex光受信器(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-21 n型ドープ活性DBR構造をもつ短共振器DBRレーザアレイの32nm連続波長可変動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
• 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
• InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
• 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
• 155Mb/sプラスチックMini-DIL PIN-PREAMPモジュール
• レーザー
• 短共振器DBR型波長可変レーザモジュールの高速波長ロッカー制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
• 40Gbit/s光変調器におけるキャリア排出時間の測定
• 40Gbit/s光変調器におけるキャリア排出時間の測定
• 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 光変調器集積型波長可変DFBレーザ
• プラスチックMini-DIL PIN-AMPモジュール
• C-3-10 低容量オプティカルベンチを用いたプラスチックPIN-AMPモジュールの高感度化
• BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
• BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
• コア膜厚/ストライプ幅変調型ビーム拡大機能集積化LDの特性解析
• 40Gbit/s光変調器におけるキャリア排出時間の測定
• C-4-6 半導体変調器中キャリア排出時間のバリア層バンドギャップ波長依存性
• C-4-25 光変調器集積型波長可変レーザの伝送特性
• 夢を形に
• 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験20, 000時間安定動作
• C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
• C-3-47 光バックプレーン向け25Gbps x 4ch小型光レシーバの開発(2) : 実装構造(光インターコネクション・光モジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• MQW半導体光増幅器の利得飽和特性と2.5Gb/s-120km伝送特性
• 光配線技術の研究動向と将来展望(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
• 光配線技術の研究動向と将来展望(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地)
• C-4-1 1.3μm帯レンズ集積型面出射レーザの広温度範囲25Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-46 光バックプレーン向け25Gbps x 4ch小型光レシーバの開発(1) : 回路・モジュール(光インターコネクション・光モジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-2 短距離伝送用送受信デバイスの開発動向(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
• 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
• シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
• 光接続-結合損失とのたたかい
• 光加入者用ハイブリッド集積モジュール
• 光加入者用ハイブリッド集積モジュール
• 光加入者用ハイブリッド集積モジュール
• 光加入者用ハイブリッド集積モジュール
• マルチメディア時代へ向けた光実装技術
• 装置間光インタコネクト技術
• 応用の幅を広げる半導体レーザ技術
• C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
• BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 100GbE向け25Gbps, 2.8mW/Gbps低電力CMOSレシーバの開発
• C-4-30 Be系II-VI材料を用いた緑色レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 応用の幅を広げる半導体レーザ技術
• C-4-19 1.3μm帯4波長面出射DFBレーザアレイの高温25Gbit/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-20 光インターコネクション用低電力25Gbps/ch 1.3μm帯光モジュール(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 装置内バックプレーン光化向け25Gbps×4チャネル、3.0mW/Gbps、CMOS小型光レシーバの提案(コア・メトロシステム,フォトニックネットワーク・システム,光ネットワーク運用管理,光ネットワーク設計,トラヒックエンジニアリング,シグナリング,GMPLS,ドメイン間経路制御,ネットワーク監視,イーサネット,光伝達網(OTN),高速インタフェース,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,光クロスコネクト(OXC),光分岐挿入多重(OADM),光多重・分離装置,光信号処理,光スイッチ
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク