スポットサイズ拡大機能を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP歪量子井戸半導体レーザ
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概要
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長距離光伝送システム用Erドープ光ファイバ増幅器の励起用光源として、光出射側でテーパ状に導波路を狭窄することにより端面での光密度を低減し、高出力・高信頼動作を目指した逆メサ構造リッジ導波路型0.98μm帯半導体レーザを検討した。光密度低減の理論計算に基づき素子を試作した結果、内部リッジネック幅2μm、端面リッジネック幅0.8μmの素子においてビーム出射角10°×15°を得、スポットサイズの拡大を確認した。また、本素子においてキンク発生光出力340mW、熱飽和による最高光出力390mWの高安定横モード動作を得た。さらに、本素子は5℃ 100mW及び150mW光出力一定の初期信頼性試験において安定に動作しており、本構造が0.98μm帯半導体レーザの高信頼化に有効であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-18
著者
-
佐川 みすず
(株)日立製作所中央研究所
-
平本 清久
日立製作所中央研究所
-
篠田 和典
(株)日立製作所中央研究所
-
平本 清久
(株)日立製作所中央研究所
-
豊中 隆司
(株)日立製作所情報通信事業部
-
魚見 和久
(株)日立製作所中央研究所
-
平本 清久
日本オプネクスト(株)
-
篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
魚見 和久
(株)日立製作所
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
佐川 みすず
日立 中研
-
豊中 隆司
日立
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