インジウム燐および関連材料国際会議(IPRM2010)報告(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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本年5月31日〜6月4日に高松において開催されたインジウム燐および関連材料国際会議(IPRM2010)の注目論文や技術動向を報告する.本会議は,インジウム燐とその関連材料の結晶成長,プロセス,および光デバイスや電子デバイスへの応用技術に関する国際会議である.第22回にあたる本年は,「Compound Semiconductor Week 2010」として,第37回化合物半導体国際会議(ISCS2010)と同時開催され,各種化合物半導体の進展を総合的に議論できる場となった.本年のIPRMにおける光デバイス分野における最もホットなトピックスは,近年発展の著しいインジウム燐系のモノリシック集積技術であった.モノリシック集積技術の今後の更なる進展が期待される.また,光電子融合に向けたシリコン基板上への化合物半導体の集積技術や,量子ドットなどのナノ構造,アンチモン系半導体や窒化物半導体の結晶成長に関する発表も活発であった.
- 2010-06-18
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