InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
次世代通信用レーザに求められる極限性能の追求を目的として、InGaAlAs系材料とInGaAsP系材料を基板面内に自由に集積する異種材料集積技術を検討した。今回作製した素子はInGaAsP系分布反射器を集積したInGaAlAs系レーザと、InGaAlAs系変調器を集積したInGaAsP系レーザである。これらの異種材料集積素子は優れた特性を示し、InGaAlAsレーザでは14mAの低駆動電流における100℃10Gbps直接変調動作、InGaAsP系レーザでは10Gbps無温調40km伝送を達成した。さらに、これらの素子の寿命試験を行った結果、1400時間を経過して安定に動作し、異種材料集積素子が優れた特性と高い信頼性を併せ持つことを実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-08-21
著者
-
塩田 貴支
(株)日立製作所 中央研究所
-
篠田 和典
(株)日立製作所中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所中央研究所
-
牧野 茂樹
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
北谷 健
(株)日立製作所 中央研究所
-
牧野 茂樹
株式会社日立製作所 中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
篠田 和典
(株)日立製作所 中央研究所
関連論文
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術)
- BCI-1-6 100GbEトランスポンダ技術(BCI-1.光通信を支える最新エレクトロニクス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- OFC/NFOEC2008報告 : アクティブモジュール/デバイス関連(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,(OFC報告),一般)
- OFC/NFOEC2008報告 : アクティブモジュール/デバイス関連(大容量伝送技術,超高速伝送技術,光増幅技術,一般,(OFC報告))
- クエン酸系ウエットエッチングによるトランジスタ直下Via-holeの形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-13 裏面放熱孔を有する InGaP/GaAs コレクタアップ HBT における熱安定動作のイオン打ち込み量依存性
- InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- スポットサイズ拡大機能を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP歪量子井戸半導体レーザ