InAlGaAs/InAlAs/InPマッハツェンダー型多モード干渉光スイッチ(MIPS-MZ)の低電流動作(フォトニックネットワーク関連技術,一般)

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概要

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• 10mA以下の低電流かつ-20dB以下の低クロストークな光スイッチング動作を目指してInAlGaAs/InAlAs/InP構造の化合物半導体ウェハによるマッハツェンダー干渉計(MZI)型多モード干渉(MMI)光スイッチ(MIPS-MZ)の設計及び作製を行った。その結果、3.5mAの低電流かつ-20dB以下の低クロストークな光スイッチング動作が実験的に確認された。さらに10MHzのパルス電流に対してナノ秒オーダーの高速な動的光スイッチング動作も確認された。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-03-06

著者

• 宇高 勝之

  早稲田大学理工学部

• 塩田 貴支

  (株)日立製作所 中央研究所

• 北谷 健

  (株)日立製作所中央研究所

• 宇高 勝之

  早稲田大学理工学術院

• 上田 悠太

  早稲田大学理工学術院

• 中村 真也

  早稲田大学理工学術院

• 宇高 勝之

  早稲田大学大学院理工学研究科

• 北谷 健

  (株)日立製作所 中央研究所

• 中村 真也

  早稲田大学大学院理工学研究科

• 上田 悠太

  早稲田大 理工学術院

• 宇高 勝之

  早稲田大学

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