InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)

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概要

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次世代フォトニックネットワークとして期待される光パケットスイッチングでは、ナノ秒オーダーでの高速スイッチングや、低消費電力・高消光比・偏光無依存動作・低損失を実現する素子が不可欠である。そこで我々は電流注入による屈折率変化で光の高速スイッチングが可能な、半導体を用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)を提案し、素子作製を行ってきた。本発表ではInAlGaAs/InAlAsを使用したMIPS-P素子における偏光無依存化に対する設計指針、低注入電流・低クロストークスイッチング動作、10MHz信号による1.5〜2.2nsでの高速切り替え動作について報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-01-24

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