光インタコネクト用1.3μm帯低しきい電流半導体レーザアレイ
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概要
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大容量並列光インタコネトにおける並列伝送路間の低スキュー化・低消費電力化を図るためには半導体レーザアレイの低しきい値化が重要である。本招待講演では、1.3μm帯InGaAsP系低しきい電流半導体レーザアレイに関し、特に、歪MQW活性層の最適化、変調ドープMQW効果の観点から、最近の我々の研究開発成果に基づいて解説する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-24
著者
-
魚見 和久
(株)日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
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魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
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魚見 和久
(株)日立製作所
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
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