スタック形ハッフルゲートによるジョセフソン回路の構成と動作実験
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
直流電源駆動のジョセフソン論理ゲートは,これまで主流であった交流電源駆動のゲートと比べて,電源電流による回路誤動作が生じない利点がある.直流電源駆動のジョセフソン論理回路のうち,スタック形ハッフル(Hybrid Unlatching Flip-Flop Logic Element:HUFFLE^<(1)>)ゲートは,ゲート単体で高機能な論理演算を実行できるため,これを用いて論理回路を構成すると,論理段数の削減とこれによる回路の高速動作が期待できる.この直流電源駆動ジョセフソン集積回路における高速化手法の有効性を調べるため,6-bitの算術論理演算回路(Arithmetic Logic Unit:ALU)の試作と動作実験を行い,評価した.その結果,スタック形ハッフルゲートにおいて,排他的論理和,3入力多数決論理の演算が新たに実現できた.また,論理積,論理和,排他的論理和,加算の各演算を行う6-bit ALUにおいては,従来の1/3の論理段数7段で回路構成ができた.従ってスタック形ハッフルゲートを用いれば,従来と比べて論理ゲート数の削減と演算時間の短縮を図ることが可能であり,かつ高速論理演算処理に有効であることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-25
著者
-
永石 英幸
(株)日立製作所中央研究所
-
西野 壽一
(株)日立製作所中央研究所
-
西野 壽一
株式会社日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
-
長谷川 晴弘
(株)日立製作所基礎研究所
-
長谷川 晴弘
日立製作所基礎研究所
-
長谷川 晴弘
(株)日立製作所 基礎研究所
関連論文
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- 60 GHz帯MMIC高出力増幅器の試作
- 60 GHz帯低雑音増幅器
- rf-SQUIDネットワークにおけるオートマトン動作
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- プリント板プロセスによるミリ波用アンテナの試作と評価
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 半導体レーザの温度上昇の評価とその素子構造依存性
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- SC-4-6 高速多チャンネルモジュール
- C-3-50 10Gbps×4chパラレルLDモジュール
- 1.3μm帯10Gbit/s/channelパラレル光送信/受信モジュール(光・電気複合実装モジュール技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- PLD法によるサファイア基板上YBa_2Cu_3O_7薄膜の成膜(材料・一般)
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 並列光インターコネクション用1.3μm帯低しきい電流・横テーパ構造n型変調ドープ歪MQWレーザアレイ
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによる85℃-2.5Gb/s零バイアス変調
- 1.3μm帯InP系n型変調ドープ歪MQWレーザ
- 1.3μm帯InCaAsP系n型変調ドープ歪MQW-BHレーザ
- 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 光インタコネクト用1.3μm帯低しきい電流半導体レーザアレイ
- 並列光インターコネクション用長波長半導体レーザーアレイ (特集 半導体レーザー・最近の話題)
- 低しきい値半導体レ-ザアレイ (特集 光が変えるコンピュ-タの世界--光インタ-コネクション)
- 24GHz UWB/77GHz車載レーダ用トランシーバ(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 24GHz UWB/77GHz車載レーダ用トランシーバ(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
- 10Gbit/s短距離用直接変調レーザダイオードモジュール
- 10 Gbit/s短距離用直接変調レーザダイオードモジュール
- 大容量光インタコネクション用低しきい値1.3μm帯歪MQWレーザ
- 産学官連携 : 産業界から
- B-5-66 ミリ波帯MMICにおけるフリップチップ実装の検討(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般セッション)
- 76GHz帯MMIC車載レーダシステム
- 76GHz帯MMIC車載レーダシステム
- 76GHz帯MMIC車載レーダシステム
- C-2-73 ミリ波レーダのアンテナ一体化構造における実装特性
- C-2-91 ミリ波モジュールの静電気放電対策
- 磁束量子パラメトロン回路 (特集 超電導特集) -- (超電導素子化技術開発)
- サンプリング接合を有する高温超電導QFPの動作実験
- ハッフルゲートによるMUX回路の高速動作
- スタック形ハッフルゲートによるジョセフソン回路の構成と動作実験
- 超電導パケットスイッチ用入力バッファの基本動作
- ダンピング抵抗の自己インダクタンスによるLC共振の抑制
- 超電導ATMスイッチの基本動作
- 超伝導パケットスイッチの基本動作
- ITS用ミリ波車載レーダセンサ
- C-2-103 LTCC基板による擬似同軸構造の検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- 近距離広角検知用小型ミリ波送受信モジュールの開発(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- 近距離広角検知用小型ミリ波送受信モジュールの開発(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- 企業へのイノベーションの浸透(ナショナルイノベーションシステム(NIS)の進化と政策的対応)
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザにおける発振遅延時間低減の検討
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによるキャリア寿命時間の低減
- 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- C-2-2 76GHz帯位相雑音測定システム
- C-2-77 セラミック多層基板による同軸線構造の評価
- 76GHzミリ波レーダ用アンテナモジュール実装
- 76GHzミリ波レーダ用アンテナモジュール実装
- C-2-74 76GHz帯車載レーダ用ビームスイッチアンテナ
- A-17-10 76GHz帯広角検知車載レーダ
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
- ミリ波帯電力増幅器応用のデバイスモデリング技術
- B-5-135 ロトマンレンズアンテナによるビーム走査の検討(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)
- C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-1-83 誘電体レンズアンテナによる狭角ビームの検討(B-1.アンテナ・伝播B,(アンテナ一般),一般セッション)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)