1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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概要
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次世代ルータ装置間の光接続に使用される短距離用40Gb/s送信光源は10Gb/sと同様に将来、直接変調レーザが使用されることが期待される。40Gb/s直接変調動作の基礎検討としてGaAs基板上に形成されたGaInAs量子井戸レーザにおいて量子井戸層の最適化とp型変調ドープ構造導入を行った。その結果,高速化に重要なフアクターである緩和振動周波数を25GHzまで増大することができた。さらに40Gb/s動作試験を行い良好なアイ開口を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-11
著者
-
工藤 真
日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所中央研究所
-
藤崎 寿美子
日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所
-
田中 滋久
日立中研
-
田中 慈久
日立製作所中央研究所
-
藤崎 寿美子
日立製作所
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