移動体通信用高出力GaAs/InGaAs歪チャネルHEMT

概要

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PDC(Personal Digital Cellular)に代表される移動体通信では携帯端末の小型軽量化と通話/待ち受け時間の延長を実現するために、低電圧で高効率に動作するデバイスが求められている。特に、携帯端末の全消費電力の中でその占める割合の大きい送信用の高出力デバイスではその要求が強い。さらに、PDCなどπ/4QPSK変調方式を用いるシステムでは、より低歪みの高出力デバイスが求められる。すでに、低電圧で高効率に動作する高出力デバイスとして、3V動作、950MHzにおいて飽和出力電力=1.4W、最大電力付加効率=61%のダブルヘテロ接合AlGaAs/InGaAs FETの報告がなされている。本報告では、GaAs/InGaAs歪みチャネルを用いた低電圧で高効率に動作する低歪みのセルラ用高出力HEMTについて報告する。本報告のHEMTでは、以下の4つの点に留意した。(1)単位ゲート幅あたりの電流密度を確保するために、電子供給層をGaAsで形成しチャネルとしても用いる。(2)耐圧を向上するため、表面に厚いアンドープ層を設ける。(3)歪みを小さくするため、GaAs電子供給層を高濃度薄層化する。(3)出力、効率を向上するため、ピエゾ効果の影響を抑制するゲート応力制御を採用する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-03-27