2-4 CCD界面暗電流の動的特性解析

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概要

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• The interface-state dark current in a Buried Channel CCD was analyzed in terms of frequency and duty of CCD gate pulse. It is confirmed that the interface-states under the area of CCD gate and along the LOCOS channel stops are chiefly responsible for the dark current.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1991-07-28

著者

• 田中 治彦

  株式会社日立製作所中央研究所

• 尾崎 俊文

  株式会社日立製作所中央研究所

• 尾崎 俊文

  (株)日立製作所中央研究所

• 小野 秀行

  (株)日立製作所中央研究所

• 尾崎 俊文

  日立製作所中央研究所

• 田中 治彦

  (株)日立製作所中央研究所

• 杉江 由三

  日立デバイスエンジニアリング株式会社

• 川本 佳史

  日立

• 川本 佳史

  (株)日立製作所 中央研究所

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