固体撮像素子用アバランシェ増倍膜積層構造の検討
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概要
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走査回路上にアバランシェ増倍作用を有する, 非晶質Se光導電膜を積層した2階建て固体撮像素子において, 光導電膜と画素電極構造の検討を行った.2階建て固体撮像素子において, 光導電膜に高電界を印加してアバランシェ現象を起こさせるためには, 光導電膜への電荷注入を阻止して暗電流を抑えることと.画素電極を平坦な構造にして, 局所的電界集中を抑止することが重要である.本研究では, 電荷捕獲により空間電荷を形成する性質を有する, ドーピング層を光導電膜と両電極との界面部に導入し, 電極近傍の電界を弱めて, キャリヤ注入による暗電流を大幅に低減した.また, n型Si基板内に微小なP^+領域を形成して電極とすることにより, 画素電極部の平坦化を行った.これらにより, 走査回路基板上に光導電膜を積層した1次元センサにおいて, 増倍率20を越える光電流のアバランシェ現象を確認した.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1996-08-20
著者
-
瀧口 吉郎
NHK放送技術研究所
-
谷岡 健吉
NHK放送技術研究所
-
山崎 順一
NHK放送技術局
-
中野 泰
日立製作所中央研究所
-
田中 治彦
株式会社日立製作所中央研究所
-
平井 忠明
浜松ホトニクス
-
尾崎 俊文
株式会社日立製作所中央研究所
-
山崎 順一
Nhk 放送技術研究所
-
辻 和隆
日立製作所中央研究所
-
辻 和隆
(株)日立製作所 日立研究所
-
辻 和隆
日立
-
鮫島 賢二
日立
-
平井 忠明
日立デバイスエンジニアリング
-
尾崎 俊文
日立製作所中央研究所
-
鮫島 賢二
日立製作所中央研究所
-
田中 治彦
日立製作所中央研究所
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