横形オーバフローゲートを有するCCD形撮像素子の低雑音画素構造の提案

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概要

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• A high sensitivity, 1/2 inch Inter-Line-CCD imager with new photodiode structure consist of a Lateral Overflow Gate and a photodiode was proposed. Especially, We developed a low noise photodiode structure in order to reduce noises on the micro-fluctuation of dark current, that mainly limiled the sensitivity of a CCD imager at high temperature device operation (60℃). These noises were reduced to 0.02nA peak-peak at 60℃ by the new Burried Barrier Structure, which were acceptable for a CCD imager compared with the random noise.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1991-02-28

著者

• 佐藤 朗

  日立

• 佐藤 朗

  株式会社日立製作所中央研究所

• 中井 正章

  株式会社日立製作所中央研究所

• 川本 佳史

  日立

• 引場 正行

  日立

• 川本 佳史

  株式会社日立製作所中央研究所

• 引場 正行

  株式会社日立製作所茂原工場

• 中井 正章

  日立

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