Sパラメータ測定による低周波数分散現象の把握
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概要
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3-5化合物FETの低周波数分散現象は、回路設計やモデリングの大きな障害となっている。この現象の研究は多くなされているが、ドレイン電流分散に関するものが大半である。この現象をさらに調べるためにSパラメータの低周波数分散を測定し、その結果にFETの回路モデルをフィッティングする事により回路モデルの各集中定数の低周波数分散を計算した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
近藤 博司
日立製作所 中央研究所
-
市川 博一
日立製作所中央研究所
-
市川 博一
(株)日立製作所 中央研究所
-
近藤 博司
株式会社日立製作所
-
徳升 一也
日立製作所 中央研究所
-
近藤 博司
日立製作所
-
徳升 一也
(株)日立製作所中央研究所
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