Sパラメータ測定とデバイス物理モデルによるGaAs MESFETの低周波数分散現象の解析
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概要
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インプランテーシヨン法によりチャネル層を形成したGaAsMESFETについて, ドレイン電流の低周波数分散現象のメカニズム, 起因を知るために以下の測定と計算をおこなった. (a)ドレイン電流とSパラメータの周波数・時間分散測定 (b)GaAs MESFET回路モデルにおける回路定数の時間分散計算 さらにドレイン電流と回路定数の時間分散の相関関係をショックレーモデルを用いて考察した. その結果, 低周波数分散現象の起因として (1)ゲート電極とチャネルとの界面に存在する界面準位, (2)チャネル内に存在する深い準位の二つが考えられる事がわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
-
近藤 博司
(株)日立製作所中央研究所
-
近藤 博司
(株)日立製作所 中央研究所
-
市川 博一
(株)日立製作所 中央研究所
-
近藤 博司
株式会社日立製作所
-
徳升 一也
(株)日立製作所 中央研究所
-
徳升 一也
(株)日立製作所中央研究所
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