GaAsIC用の薄い能動層とSiO_2膜界面の評価
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概要
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高性能化用に薄い能動層を使ったGaAsIC用FETの製造工程では,しきい電圧の制御性の向上を目的として能動層の削れがない表面保護用SiO_2膜の形成技術が必要である.これを検討するために本研究ではFET用の能動層で抵抗素子を製作し,表面処理の有無によるシート抵抗の変化から結晶の削れ量を求める評価法を提案した.この方法により熱CVD法SiO_2膜をHFでエッチする処理で大略5nm厚のGaAs層が一緒に削れることを示した.この原因として,熱CVD法のSiO_2/GaAs界面にはGaAs酸化物と過剰Asからなる変成層があることがわかり,この変成層の定量評価に分光エリプソメータを適用して,薄い膜厚を再現性良く測定できることを明らかにした.これらの評価法を用いて成膜技術を検討した結果,低温で成膜可能な光CVD法SiO_2膜は,SiO_2/GaAs界面に変成層を作らず,また,これをHFエッチで処理しても結晶の削れがないことがわかり,光CVD法SiO_2膜はGaAsIC用の薄いGaAs能動層の表面保護用として最適であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-25
著者
-
齊藤 忠
東京農工大学
-
今村 慶憲
(株)日立製作所中央研究所
-
宮崎 勝
(株)日立製作所中央研究所
-
小田 浩人
(株)日立超LSIエンジニアリング
-
齊藤 忠
東京農工大学;工学部電気電子工学科
-
斉藤 忠
東京農工大学
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