光変調分光法を用いたSiO_2/GaAs界面構造の評価
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概要
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GaAsのデバイス開発において、その構造の非接触評価は重要である。本研究では、非破壊・非接触の測定法である分光エリプソメトリーを用いて、SiO_2/GaAs界面構造の評価を行った。また界面でのフェルミ準位等の電子構造を、フォトリフレクタンスと光変調型エリプソメトリーで評価した。解析には誘電関数のフランツ・ケルディッシュ効果を用いた。この結果、光CVDで作製されたSiO_2/GaAs構造が最も良好な界面を持つことがわかった。さらに界面の電子構造のSiO_2膜厚依存性を調べたが、膜厚による変化はみられなかった。以上のことより、SiO_2/GaAs界面構造は膜作製条件に大きく依存することかわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
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