GaAs基板上高In組成歪チャネルHEMTのMBE成長
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概要
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GaAs基板上InGaAs歪チャネルHEMTの高性能化のため、In組成が0.25より大きい歪InGaAs層のMBE法による成長を検討した。フォトルミネッセンス法、及びホール測定により、結晶性が良好でかつInの表面偏析が最小となる成長温度は400℃であることがわかった。また、In組成が0.3を越えると、チャネルの厚さが6mmと非常に薄し場合でも高移動度、高シート電子濃度が得られることがわかった。また、高In組成化の有効性をHEMTの直流特性からも示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-11
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