低電圧動作歪InAlAs/InGaAs超格子APD(APD : Avalanche Photodiode)

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概要

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• 従来、APDの適用分野はその高動作電圧(例えば、Ge-APD:〜30V、InP-APD:〜60V)のために限定されていた。超格子増倍層と導波路構造とを組合せることにより、動作電圧7V以下で増倍現象を確認したので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-09-26

著者

• 宍倉 正人

  (株)日立製作所中央研究所

• 中村 均

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所中央研究所

• 花谷 昌一

  (株)日立製作所中央研究所

• 野津 千秋

  (株)日立デバイスエンジニアリング

• 宍倉 正人

  日本オプネクスト株式会社

• 宍倉 正人

  日本オプネクスト(株)

• 田中 滋久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 花谷 昌一

  日立テレコム(USA)

• 花谷 昌一

  日立製作所 情報通信事業部 開発センタ

• 花谷 昌一

  (株)日立製作所情報通信事業部

• 花谷 昌一

  (株)日立コミュニケーションテクノロジー キャリアネットワーク事業部

• 宍倉 正人

  (株)日立製作所 中央研究所

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