MQW電界吸収型超高速光ゲート
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概要
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光ゲートは光スイッチを構成する基本的な要素デバイスである。従来、光ゲートとしては半導体光増幅器(semiconductor optical amplifier gate:SOAG)が検討されてきた。 SOAGは挿入損失が小さいという利点を持つ反面、スイッチング時間がキャリアライフタイムで制限されるためにns以下の超高速スイッチングは不可能である。我々は、MQW電界吸収(electroabsorption:EA)型光変調器を光ゲートとして用いることを提案し、検討を進めている。MQW-EAゲートは素子容量のみによってスイッチング時間が制限されるので、低容量化を図ることで〜psの超高速スイッチングが可能である。またMQW-EAゲートでは、ON状態において光信号は吸収も増幅も受けないために、挿入損失の偏波依存性(PDL)や波長依存性(WDL)を小さくすることが容易であり、波長多重信号のスイッチングにも適している。以下にMQW-EAゲートの検討結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
小泉 真里
(株)日立製作所中央研究所
-
井上 宏明
(株)日立製作所 中央研究所
-
井上 宏明
(株)日本オプネクスト
-
井上 宏明
日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立中研
-
田中 慈久
日立製作所中央研究所
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