超格子APD高速化の検討
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概要
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InAlAs, InGaAs超格子APDの超格子構造と素子特性の関係を理論、実験両面から検討し、素子特性向上に必要な超格子構造の指針を示した。トンネル電流、イオン化率比と井戸層幅との関係の解析、及び、注入条件と利得帯域積の関係を明らかにすることにより、膜厚5nmの狭いInGaAs井戸層を持つ超格子の有効性を示した。これらの結果をもとに、裏面入射型SMA構造超格子APDを試用し、通信用APDでの利得帯域幅積の最高値130GHzを確認した。さらに、狭井戸幅超格子の増倍層膜厚の薄膜化を検討し、暗電流、イオン化率比、GB積と増倍層膜厚の関係を系統的に示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
中村 均
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 均
日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所中央研究所
-
野津 千秋
(株)日立デバイスエンジニアリング
-
花谷 昌一
日立製作所中央研究所
-
野津 千秋
日立デバイスエンジニアリング
-
大歳 創
日立製作所中央研究所
-
大歳 創
日立中研
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所
-
花谷 昌一
日立テレコム(USA)
-
花谷 昌一
日立製作所 情報通信事業部 開発センタ
-
花谷 昌一
(株)日立製作所情報通信事業部
-
大歳 創
日立製作所
-
花谷 昌一
日立製作所 情報通信事業部
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