伸張歪みInGaAs/InAlAs MQW電界吸収型光変調器 : 伸張歪み導入によるMQW電界吸収型光変調器の動作電圧低減
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概要
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InGaAs, InAlAs MQW電界吸収型光変調器において、歪み導入による動作電圧低減を検討した。理論計算の結果、井戸層にわずかな伸張歪みを導入することにより、吸収端シフト量が増大し、大幅な動作電圧低減が期待できることを示した。計算結果に基づき伸張歪みMQW電界吸収型光変調器を作製した結果、伸張歪み量0.35%の時、変調帯域15GHz、動作電圧2.0Vの変調器が得られることがわかった。この動作電圧は無歪変調器の約6割であり、伸張歪み導入は光変調器の動作電圧低減に極めて有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
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佐野 博久
日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所
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井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
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田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
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田中 滋久
日立製作所中央研究所
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井戸 立身
日立製作所 中央研究所
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佐野 博久
日立製作所 中央研究所
-
高井 厚志
日立製作所(株)
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田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 滋久
日立製作所
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高井 厚志
日立製作所
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高井 厚志
日立製作所中央研究所
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