伸張歪みInGaAs/InAlAs MQW電界吸収型光変調器 : 伸張歪み導入によるMQW電界吸収型光変調器の動作電圧低減

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• InGaAs, InAlAs MQW電界吸収型光変調器において、歪み導入による動作電圧低減を検討した。理論計算の結果、井戸層にわずかな伸張歪みを導入することにより、吸収端シフト量が増大し、大幅な動作電圧低減が期待できることを示した。計算結果に基づき伸張歪みMQW電界吸収型光変調器を作製した結果、伸張歪み量0.35%の時、変調帯域15GHz、動作電圧2.0Vの変調器が得られることがわかった。この動作電圧は無歪変調器の約6割であり、伸張歪み導入は光変調器の動作電圧低減に極めて有効である。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-07-26

著者

• 佐野 博久

  日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所

• 井戸 立身

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  日立製作所中央研究所

• 井戸 立身

  日立製作所 中央研究所

• 佐野 博久

  日立製作所 中央研究所

• 高井 厚志

  日立製作所(株)

• 田中 滋久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 田中 滋久

  日立製作所

• 高井 厚志

  日立製作所

• 高井 厚志

  日立製作所中央研究所

関連論文

• C-3-80 高屈折率エタロンを用いた斜め反射型可変分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験10, 000時間安定動作
• 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
• 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
• 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
• 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化
• 表面実装向け高効率・低暗電流導波路型PINフォトダイオード
• 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
• 広トレランス導波路型PINフォトダイオード
• 低電圧動作歪InAlAs/InGaAs超格子APD(APD : Avalanche Photodiode)
• 2.5Gbit/s光伝送用InAlAs/InGaAs超格子APD
• 導波路型超格子APD
• 超格子APD高速化の検討
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 広波長帯域用EA光ゲートの基本特性
• 電界吸収型光ゲートによる低損失変動光セルバッファ
• 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-3-118 InP-AWGとPDアレイをハイブリッド集積したDWDMモジュール
• C-3-122 InP 16チャネルアレイ導波路格子分波器
• 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
• 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
• SC-4-6 高速多チャンネルモジュール
• C-3-50 10Gbps×4chパラレルLDモジュール
• B-1-243 人の動きがある室内でのMIMO伝搬特性の評価(B-1. アンテナ・伝播C(アンテナシステム), 通信1)
• 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
• 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
• 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
• C-3-21 10Gbps×4ch パラレル光受信器
• C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 10 GbE WWDM送信器用ポリマPLC基板
• 10GbE WWDM送信器用ポリマPLC基板
• C-3-151 ポリマPLCを用いた10GbE WWDM用4×1合波器
• ポリマー導波路を用いた光アクセス向け低コスト送受信モジュール
• 光加入者用ポリマPLC送受信モジュール
• 光加入者用ポリマPLC送受信モジュール
• SC-3-9 ATM-PONシステム向けポリマPLCモジュール
• C-3-113 光加入者システム用ポリマPLCモジュール
• C-3-65 低消費電力ポリマ可変光減衰器
• 40Gbit/s伝送用光変調器モジュールのIC駆動
• ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
• ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
• ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
• ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
• フッ素化ポリイミドを用いた1×8デジタル光スイッチ(2)
• 広波長帯域用EA光ゲートの基本特性
• 広波長帯域用EA光ゲートの基本特性
• 広波長帯域用EA光ゲートの基本特性
• フッ素化ポリイミドを用いた1x8デジタル光スイッチ
• MQW電界吸収型超高速光ゲート
• 1.3μm帯MQW半導体光増幅器
• MQW電界吸収型超高速光ゲート
• モードフィルタによるマッハツェンダー型光変調器の安定化
• MBE再成長法によるGaAs/InGaAs系モノリシック型光集積素子(1) : 再成長界面の位置に関する検討
• 超高速電界吸収型光ゲートスイッチ
• 40Gbit/s 用導波路集積化MQW電界吸収型光変調器
• 導波路集積化MQW-EA型超高速光変調器
• 光ファイバジャイロ用TEモード偏光SLD/PD集積光源
• 半導体光制御デバイスと実装
• 導波路集積化MQW-EA型光変調器
• 伸張歪みInGaAs/InAlAs MQW電界吸収型光変調器 : 伸張歪み導入によるMQW電界吸収型光変調器の動作電圧低減
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
• パターン基板上に自己形成した三次元閉じ込めGaAs構造に関するフォトルミネッセンス
• C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 選択MOCVD成長による多重量子井戸構造の量子準位エネルギー制御と光集積素子への応用
• 光インタコネクション応用に向けたAPD低電圧動作化の検討
• CS-5-7 低コスト光モジュール用高速アンクールドEA/DFBレーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• 半導体導波路型光周波数変換素子
• InGaAs/InAlAs MQW非線形導波路を用いた全光学的光スイッチング実験
• 1.5μm用InGaAs/InAlAs多重量子井戸導波路での光誘起屈折率変化
• 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験20, 000時間安定動作
• C-3-47 10Gb/s光受信器用表面実装対応導波路型PIN-PD
• C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
• ポスター発表報告
• C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
• BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• B-4-29 光ディスクドライブにおける記録信号伝送ジッタ低減の検討(B-4. 環境電磁工学,一般セッション)
• C-4-30 Be系II-VI材料を用いた緑色レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-6 光インタコネクト用1.3μm帯レンズ集積EA-DFBレーザによる40-Gbit/s/ch 50mマルチモードファイバ伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-31 光インタコネクト用EA-DFBレーザの40Gbps/ch低電圧動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-16 ハイメサ埋め込み構造型LGLC波長可変レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• BeZnCdSe量子井戸を用いた緑色半導体レーザの高出力発振(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク