選択MOCVD成長による多重量子井戸構造の量子準位エネルギー制御と光集積素子への応用
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概要
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本論文では高性能,多機能な半導体光集積素子の一実現方法として選択MOCVD成長を用いた多重量子井戸(MQW)構造の量子準位エネルギー制御を提案し,その基本原理および応用光集積素子について実験的に検討した.一般に半導体光集積素子には機能の異なる構造素子ごとにバンドギャップエネルギーの異なる半導体層を同一半導体基板上に造り込む必要がある.ここでは同一基板上の位置的な成長速度,成長層組成を選択MOCVD成長技術を用いて制御することにより,同時成長したInGaAs/InP系MQW構造の量子準位エネルギーを基板面内で変化させることを試みた.その結果,200meV以上の広い量子準位エネルギーの制御幅および通常成長とそん色ない選択長層の良好な結晶性を確認した.次にこの新集積法の応用として,分布帰還半導体レーザと電界吸収形変調器のモノリシック集積素子および多波長分布帰還形レーザアレーを試作した.試作の結果,簡易な作製法,良好な選択成長層の結晶性,素子間の良好な光結合を反映して良好な素子特性を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-25
著者
-
鈴木 誠
横浜市立大学一般外科
-
佐野 博久
日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所
-
鈴木 誠
(株)日立製作所日立総合病院リハビリテーション科
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
佐野 博久
(株)日立製作所中央研究所
-
谷渡 剛
日立
-
谷渡 剛
(株)日立製作所情報通信事業部
-
筒井 孝幸
日立中央研究所
-
河野 敏弘
日立光推
-
鈴木 誠
日立 中研
-
河野 敏弘
(株)日立製作所光事業推進本部
-
筒井 孝幸
(株)日立製作所中央研究所
-
谷渡 剛
日立製作所情報通信事業部
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