リッジ導波路型半導体光増幅器

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概要

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• 半導体光増幅器は小型で、低コスト化に有利である半面、実システムへの応用を考えると、特性を揃えることが急務である。ここでは、製造プロセスが非常に簡易なことを特徴とする逆メサ形状を有するリッジ導波路型半導体光増幅器を提案する。両端面の反射防止膜には、EB蒸着法によるTiO_2/SiO_22層膜を用いて、容易に端面反射率を0.2%にでき、比較的高注入状態においてもレーザ発振を抑制することができる。このときの素子特性はI=200mAでチップの単一通過利得が19dB、飽和光出力強度が+5dBmであり、通常の埋込み型半導体光増幅器に比べて遜色ない結果が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-06-22

著者

• 鷹野 秀明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 鈴木 誠

  日立製作所中央研究所

• 鈴木 誠

  (株)日立製作所日立総合病院リハビリテーション科

• 井上 宏明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 井上 宏明

  RWCP光インターコネクション日立研

• 青木 雅博

  (株)日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所 中央研究所

• 鈴木 誠

  日立製作所 中央研究所

• 井上 宏明

  (株)日本オプネクスト

• 金武 達郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 金武 達郎

  情報通信事業部中央研究所

• 鈴木 誠

  日立 中研

• 金武 達郎

  (株)日立製作所基礎研究所

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