高注入効果をとり入れたBi-CMOS回路の動作解析
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 走査型電子顕微鏡による半導体の観察 : 電子ビームとその応用シンポジウム
- 逆位相直接接着によるGaAs基板上長波長レーザの作製
- 低電力RISCプロセッサ向け2-portキャッシュメモリ
- 超高速電界吸収型光ゲートスイッチ
- 40Gbit/s 用導波路集積化MQW電界吸収型光変調器
- 導波路集積化MQW-EA型超高速光変調器
- 導波路集積化MQW-EA型光変調器
- パストランジスタ・マルチプレクサを適用した高速54×54ビット乗算器
- ダブルパストランジスタ論理を適用した高速108ビット加算回路
- ダブルパストランジスタ論理(DPL)を適用した高速32ビットALU
- 選択MOVPEを用いたDFBレーザの波長制御技術と応用
- 選択MOVPEによる基板面内膜厚制御法を用いた光変調器集積波長多重光源
- 選択MOCVD成長による多重量子井戸構造の量子準位エネルギー制御と光集積素子への応用
- リッジ導波路型半導体光増幅器
- 2重センスラッチによる2.6ns CMOSウェーブパイプラインSRAM
- シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
- 高注入効果をとり入れたBi-CMOS回路の動作解析
- サブミクロンBiCMOS,CMOS,バイポ-ラECL論理回路の遅延時間の解析
- p形MOSFETとnpnトランジスタを同一Nウェル内に形成したN+埋込層給電形Bi-CMOS論理回路の検討
- 超高速バイポ-ラLSI用外周エミッタ形シリコントランジスタ構造の提案と検討
- ポリシリコンの選択エッチングによる自己整合サブミクロンバイポ-ラトランジスタ
- 3p-E-1 Si中への酸素の拡張による格子歪の測定
- 電子線によるシリコン中の格子欠陥の観察(I) : 格子欠陥
- 走査型電子顕微鏡による半導体素子の直接観察II : 半導体 : 測定法