MNM-3B-2 WSiとLSI配線工程互換プロセスを用いたモノリシック集積化MEMS圧カセンサ(セッション 3B 情報・精密機器におけるマイクロ・ナノテクノロジー2)
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概要
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We have developed back-end-of-line (BEOL) MEMS processes for monolithically integrating MEMS and CMOS-LSI. The processes do not affect the performance of the LSI because only conventional materials for CMOS LSI are used and all process temperatures are less than 450 degree C. A CMOS-LSI-integrated capacitive pressure-sensor was fabricated with a chip size of 0.72 mm^2 using the BEOL MEMS processes. Multi-sensor chip with a size of 1.7 by 1.9 mm^2 which consists of pressure sensor, temperature sensor and high-precision measurement circuits was also fabricated.
- 2010-10-12
著者
-
藤森 司
(株)日立製作所 中央研究所
-
鷹野 秀明
(株)日立製作所 中央研究所
-
花岡 裕子
(株)日立製作所 中央研究所
-
後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
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藤森 司
日立中研
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鷹野 秀明
日立中研
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花岡 裕子
日立中研
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後藤 康
日立中研
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