WH酸化技術による低抵抗ゲートMOSデバイスの特性改善
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概要
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- 1998-12-03
著者
-
田辺 義和
(株)日立製作所
-
花岡 裕子
(株)日立製作所 中央研究所
-
大西 和博
(株)日立製作所中央研究所
-
大西 和博
(株)日立製作所
-
山本 直樹
(株)日立製作所中央研究所
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花岡 裕子
(株)日立製作所
-
三谷 真一郎
(株)日立製作所
-
長浜 寿明
(株)日立製作所
-
山本 直樹
(株)日立製作所
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