Mo/Si界面でのSi酸化物の生成
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Al蒸着膜へのAu線熱圧着性に及ぼすAl酸化被膜の影響
- 半導体素子Al電極への高速Au線熱圧着
- AuとAlの熱圧着における接合界面の変形と新生面の生成
- ULSI(超々高集積回路)に使われる電極材料の条件と純度の問題--高集積化されるほど不純物濃度の低減が要求される (Annual Review ′88--新市場編) -- (レアメタルの高純度化と新機能の創製)
- VLSIの電極・配線に使われる材料--シリサイドからタングステン,モリブデン,金属ガスへ (メガビット時代と電子材料)
- ESCAによるシリコン酸化膜内の微量不純物や欠陥の検出
- Si上極薄SiO_2膜帯電のX線照射時間依存性
- ESCAによるSiO_2/Si内の電子トラップ,正孔トラップの検出
- ESCAによる極薄シリコン酸化膜の厚さの測定 (表面,界面分析の工業的応用)
- 化学蒸着したタングステンとSiO2との密着性の評価
- ESCAで測定されたSi2p準位に与えるX線照射の影響
- 化学蒸着した珪化タングステン薄膜と多結晶シリコンとの密着性の評価
- Mo/Si界面でのSi酸化物の生成
- アルミニウム蒸着時のシリコン基板の酸化
- MOS超LSI用ゲ-ト電極材料("機能材料・新素材"シリ-ズ-10-)
- 「金属と水」ミニシリ-ズ-3-シリコン半導体素子と水
- Si-SiO2界面状態の分析 (「粒界・相界面」)
- 半導体製造技術の向上に対するESCAの実用化と問題点
- X線照射による絶縁被膜の帯電
- ESCAで測定されたSi酸化膜の化学シフト
- ESCAで測定する絶縁薄膜の化学シフトに対する疑問
- LSI用電極・配線材料の腐食
- WH酸化技術による低抵抗ゲートMOSデバイスの特性改善
- MPEG Audioリアルタイムソフトウエア処理
- 動画/静止画対応ディジタルカメラの露出制御方式
- 1-1 フルフレームスチルカメラのシステム検討
- 8-3 フルフレームスチルカメラの露光制御方法
- 6-1 ディジタル出力カメラの一検討
- マイクロ蛍光・回折X線分析装置による微小部の結晶,応力および元素の同時分析
- ロジック-DRAM混載技術
- ロジック-DRAM混載技術
- 16-3 高画質手振れ補正システムの開発
- 19-3 電子ズーム用信号処理システムの開発
- 絶縁膜を薄くすると絶縁性が上がる--極薄SiO2/Si試料のX線光電子分光評価から
- 極微小領域の残留応力センシング
- ULSIと応力
- 動画/静止画対応デジタルカメラにおける撮像方式の検討