ロジック-DRAM混載技術
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概要
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ロジック-DRAM混載技術は、将来のシステムオンチップ対応プロセスの方向を決める重要な技術である。DRAMベースのプロセスとすることで、システムオンチップに要求される大容量メモリに対応する。キャパシタ、層間絶縁膜に新材料を適用することによりプロセスを低温化し、ロジックデバイス性能の向上を図った。微細化は、ワード線、ビット線の抵抗を増加させ、配線遅延を増加させるが、プロセス低温下との整合性の良いメタル化により、メモリセル性能を向上させた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-24
著者
-
大橋 直史
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
吉田 誠
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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大橋 直史
株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部
-
浅野 勇
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
山本 直樹
(株)日立製作所中央研究所
-
山本 直樹
高知工科大学 総合研究所
-
榎本 裕之
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
熊内 隆宏
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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川北 恵三
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
梅澤 唯史
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
只木 芳隆
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
大橋 直史
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
-
山本 直樹
(株)日立製作所
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