多層配線構造に対するSOGプロセスの改良
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概要
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本研究は,エッチバックプロセスを併用した有機SOG平たん化技術の改良について行ったものである.初めに,配線配置にかかわらず成立する,SOG平たん化メカニズムの一般法則について解析した結果を示した.この一般法則は,面内水平方向投影長あたりに塗布されるSOG体積は,配線の粗密にかかわらず一定であるという重要な結果を導き出した.この一般法則(=Volume constant rule)に従って,SOG層直下のプラズマSiO_2(=P-SiO_2)膜熱を減少させる等のプロセス条件最適化を行うことにより,SOG平たん化プロセスのマージンは大幅に増加する.次に,有機SOG材料の改良について示した.新たに開発された有機SOG材料(=日立化成工業(株),HSG-2209S-R7)は,熱リフロー特性を有し,2ndベーク時に配線上のSOGが隣接配線間スペースへと移動する.この結果,配線上のSOG膜厚の減少と局所平たん性の改善といった効果が生じる.これらの検討結果に従ってプロセス条件の最適化を行い,logic LSIを想定した6層配線構造の試作に成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
-
平澤 茂樹
(株)日立製作所 機械研究所
-
根津 広樹
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
大橋 直史
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
大和田 伸郎
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
大橋 直史
株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部
-
大和田 伸郎
(株)日立製作所
-
平澤 茂樹
(株)日立製作所
-
平澤 茂樹
神戸大 大学院工学研究科
-
根津 広樹
日立デバイス開発センタ
-
大橋 直史
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
-
根津 広樹
(株)日立製作所
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