高集積DRAM構造の検討
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概要
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大容量DRAMメモリセルアクティブ領域レイアウトとしてガルウイングレイアウトを採用し、アイソレーション特性を評価した。ウエハでは電気的に極めて厳しい条件でアイソレーションを評価するとCOP起因のアイソレーション特性の問題が発生する。これがCOP周囲のLOCOS酸化膜形成に影響をおよぼすためと推定される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-26
著者
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村田 純
日立製作所デバイス開発センタ
-
関口 敏宏
エルピーダメモリ株式会社
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只木 芳隆
日立製作所デバイス開発センタ
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関口 敏宏
日立製作所デバイス開発センタ
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村中 雅也
日立超LSIエンジニアリング
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三浦 真史
日立超LSIエンジニアリング
-
真壁 一也
日立超LSIエンジニアリング
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帰山 敏之
日本テキサス・インスツルメンツ
-
趙 成洙
日本テキサス・インスツルメンツ
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湯原 克夫
日本テキサス・インスツルメンツ
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只木 芳隆
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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帰山 敏之
日本テキサス・インスツルメンツ(株)
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帰山 敏之
日本テキサス・インスツルメンツ(株)デジタルイメージング
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