岩田 誠一 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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岩田 誠一
(株)日立製作所中央研究所
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岩田 誠一
株式会社日立製作所中央研究所
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石坂 彰利
株式会社日立製作所中央研究所
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岩田 誠一
日立 中研
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山本 直樹
(株)日立製作所中央研究所
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矢野 史子
株式会社日立製作所中央研究所
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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山本 直樹
株式会社日立製作所中央研究所
著作論文
- Al蒸着膜へのAu線熱圧着性に及ぼすAl酸化被膜の影響
- 半導体素子Al電極への高速Au線熱圧着
- AuとAlの熱圧着における接合界面の変形と新生面の生成
- ESCAによるシリコン酸化膜内の微量不純物や欠陥の検出
- Si上極薄SiO_2膜帯電のX線照射時間依存性
- ESCAによるSiO_2/Si内の電子トラップ,正孔トラップの検出
- ESCAによる極薄シリコン酸化膜の厚さの測定 (表面,界面分析の工業的応用)
- 化学蒸着したタングステンとSiO2との密着性の評価
- ESCAで測定されたSi2p準位に与えるX線照射の影響
- 化学蒸着した珪化タングステン薄膜と多結晶シリコンとの密着性の評価
- Mo/Si界面でのSi酸化物の生成
- アルミニウム蒸着時のシリコン基板の酸化
- MOS超LSI用ゲ-ト電極材料("機能材料・新素材"シリ-ズ-10-)
- 「金属と水」ミニシリ-ズ-3-シリコン半導体素子と水
- Si-SiO2界面状態の分析 (「粒界・相界面」)
- 半導体製造技術の向上に対するESCAの実用化と問題点
- X線照射による絶縁被膜の帯電
- ESCAで測定されたSi酸化膜の化学シフト
- ESCAで測定する絶縁薄膜の化学シフトに対する疑問