石坂 彰利 | 株式会社日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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石坂 彰利
株式会社日立製作所中央研究所
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岩田 誠一
(株)日立製作所中央研究所
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岩田 誠一
株式会社日立製作所中央研究所
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石坂 彰利
日立中研
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小林 啓介
光共研
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大門 寛
阪大基礎工
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岩田 誠一
日立 中研
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大門 寛
物性研
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村田 好正
物性研
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小林 啓介
日立中研
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白木 靖寛
日立中研
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大門 寛
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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宮尾 正信
日立中研
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菅城 象二郎
日立中研
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小林 啓介
物性研
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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石坂 彰利
日立製作所中央研究所
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市川 昌和
Jrcat-atp
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土井 隆久
日立中研
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市川 昌和
日立中研
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茂庭 昌弘
日立中研
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石坂 彰利
日立 中研
著作論文
- Al蒸着膜へのAu線熱圧着性に及ぼすAl酸化被膜の影響
- 半導体素子Al電極への高速Au線熱圧着
- AuとAlの熱圧着における接合界面の変形と新生面の生成
- 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
- 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
- 3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
- Si上極薄SiO_2膜帯電のX線照射時間依存性
- Si-SiO2界面状態の分析 (「粒界・相界面」)
- X線照射による絶縁被膜の帯電
- ESCAで測定されたSi酸化膜の化学シフト
- ESCAで測定する絶縁薄膜の化学シフトに対する疑問
- 分子線エピタキシーにおける結晶成長モードと成長温度
- 4a-M-6 Micro-Probe RHEED法による絶縁膜上での単結晶Siの成長過程の観察
- 4a-RJ-12 清浄シリコン表面へのNiSi_2膜のヘテロエピタキシー