大門 寛 | 阪大基礎工
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概要
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東大理
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今田 真
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難波 秀利
立命館大理工
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恒川 雅典
阪大基礎工
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石井 広義
都立大理
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難波 秀利
東大理
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千葉大院融合
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東北大院理
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阪大基礎工
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志野 直行
阪大基礎工
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重岡 浩昭
阪大基礎工
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金子 武次郎
東北大金研
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生天目 博文
広大理
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大門 寛
物性研
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村田 好正
物性研
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小林 啓介
日立中研
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太田 俊明
立命館大学SRセンター
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斎藤 祐児
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手塚 泰久
東大物性研
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中谷 健
原子力機構
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木下 豊彦
NEDO
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斉藤 祐児
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宮原 恒★〓
都立大院理
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辛 埴
東大物性研
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石井 廣義
首都大理工
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鈴木 孝
東北大理
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岩崎 剛之
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根岸 寛
広大理
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須崎 友文
東大理
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古畑 武夫
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The Oarai Branch Institute For Materials Research Tohoku University
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篠田 潤
阪大基礎工
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原沢 あゆみ
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石井 広義
首都大院理工
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落合 明
新潟大工
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Engineering Research Institute University Of Tokyo
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宮原 恒〓
高エ研
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山田 一
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室隆 桂之
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宮原 恒〓
Kek Pf
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藤川 正雄
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石坂 彰利
株式会社日立製作所中央研究所
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石坂 彰利
日立中研
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片山 良史
日立中研
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日立中研
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東大物性研
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KEK-PF
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都立大・院理
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東北大学未来科学技術共同研究センター
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サイアム・フォトン
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阪大産研
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広大院理
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小林 研介
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物性研
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物講研
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渡邊 正満
東大物性研
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菅原 英直
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石井 武比古
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日立中研
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日立中研
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Christian-Albrechts Univ.
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Ntt
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村上 俊一
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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永倉 一郎
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Oh J-S.
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渡邉 正満
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高エネ研
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Oh J-S
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宮原 恒[アキ]
高エネ研
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堀 寛宣
阪大基礎工
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籠島 靖
高エネ研PF
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宮原 恒〓
高エネ研PF
著作論文
- 3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
- 12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
- CePdAsの高分解能共鳴光電子分光
- 28p-PSB-17 電子衝撃イオン脱離による O_2/Si(111)の研究II
- 25p-Y-13 Si(111)7×7-NOの電子衝撃脱離
- 28a-E-2 二次元分析器による化学吸着分子の電子衝撃脱離
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
- 30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
- 30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
- 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
- 3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
- 31a-J-5 Ni/Si界面のシンクロトロン放射による光電子分光
- 31p-F-1 Si(001)価電子帯からの光電子角度分布の円2色性II
- 3p-F-16 Ni単結晶の光電子スピン分解低速電子線回折分光スペクトル(II)
- 25p-Z-6 グラファイトのバンドの二次元測定
- 29a-G-7 Si(111)3×1-NaとSi(111)δ7×7-NaにおけるSi2p内殻準位シフト
- 5a-H-4 Si(111)-√×√-Ag表面準位の二次元角度分解光電子分光II
- Si(111)-√×√-Ag表面準位の二次元角度分解光電子分光
- 29a-P-10 パイライトの2p内殻励起と光電子分光
- 2p-Q-13 MgO(001)劈開面の極紫外光電子スペクトル
- 29p-H-1 Ni単結晶の光電子スピン分解低速電子線回折分光スペクトル
- 3p-PSA-62 M_xTiS_2(M=Mn, Fe, Co, Ni)の光電子分光によるバンド構造の観測
- 29p-H-2 M_xTiS_2の角度分解光電子分光と2p共鳴(M=Mn, Fe, Co, Ni)
- 12a-DC-11 Ni_TiS_2の価電子帯の角度分解光電子分光と2p共鳴
- 2p-W-6 Ce_4Bi_3のBISとXPS,UPS
- 28p-YQ-5 光電子スペクトルの二次元角度分布 : 1T-TaS_2の場合
- 28p-YQ-4 光電子スペクトルの二次元角度分布 : グラファイトの場合
- 28p-PSB-25 光電子回折法によるGaAs(110)表面の酸化構造の研究
- 28p-PSB-8 W(001)表面の光電子回折パターン
- 29p-H-6 1T-TaS_2の二次元UPS測定
- 12p-DJ-10 Si(111)3×1-Na 表面の角度分解光電子分光
- 12a-DC-7 Si(113)3×1-K表面の角度分解光電子分光
- 29a-G-8 光電子ホログラフィー
- 30a-H-14 TaS_2のフェルミ面の2次元測定
- 26a-ZE-2 二次元表示型分析器の改良とグラファイトのバンドの二次元測定
- 25p-PS-40 2次元表示型分析器によるSi(111)δ-7×7-Hの光電子放出パターン
- 2a-E-13 TaC(111)からのオージェ電子回折
- 12p-DJ-7 円偏光光電子回折-電子の回転運動の直接観察
- 31p-N-13 Ni_TiS_2の角度分解光電子分光
- 29p-PS-28 Si(111)-(CH_3)_2AlHからの電子衝撃脱離イオン
- 27p-ZL-11 Mn_2SbとMnAlGeの電子状態
- 25p-W-8 Mn_CoSb単結晶のXPSと逆光電子分光
- 30a-E-5 Cu_2Sb型化合物のXAS
- 29a-P-9 Ni_TiS_2及びMn_2Sbの2p内殻励起と光電子分光
- 31p-Z-10 Eu_3Ir_4Sn_の共鳴光電子分光
- 5a-G-12 2次元角度分解光電子分光によるSr_2RuO_4のフェミル面
- 7p-T-2 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8のFermi面近傍における角度分解光電子分光
- CoS_2の高分解能光電子分光
- 30a-PS-1 放射光を用いた2次元光電子分光
- 5a-X-8 楕円偏光光電子回折
- Yb_4(As_Sb_x)_3の高分解光電子スペクトルの温度変化 : 電荷秩序効果
- CeRu_2Ge_2の高分解能共鳴光電子分光
- 31p-Z-13 CeRu_2Si_2の高分解能・共鳴光電子分光測定
- 31p-Z-9 Yb_4As_3の相転移と高分解光電子分光
- 31a-WC-13 Au/Si(111)の表面内殻準位シフト
- 1T-TaS_2の2次元角度分解共鳴光電子分光
- 30a-PS-5 Cl/Si(100)表面の電子刺激脱離II
- 1a-Z-13 Si(001)価電子帯からの光電子角度分布の円2色性
- 31a-L-11 Si(111)面の酸化過程の研究
- 2p-NM-10 Si(111)上の酸化膜のイオン衝撃による電子構造の変化
- 1p-U-13 SOR光を用いたMgO(100),(110)面の光電子分光および帯電効果
- 13a-Ps-16 NO/Si(111)の光刺激脱離
- 12a-DH-5 Cl/Si(111)の放射光による光刺激脱離
- 2p-PSA-47 Si(100)2×1-Clの電子刺激脱離
- 29p-PSB-16 電子衝撃イオン脱離によるO_2/Si(111)の研究
- 30a-PS-59 Cr_2As, Mu_2As, Fe_2Asの電子状態
- 27p-B-11 Cr_2As、Mn_2As、Fe_2Asの光電子分光
- 31p-PSB-59 Si(111)3×1-Alkali metal, Ag の表面内殻準位シフト
- 1a-pS-9 近藤絶縁体YbB_の高分解能光電子分光II(1aPS 磁性(f電子系),磁性)